Laserfilmstripping

2025-12-10

Laserstrippede magnetiske PI-emaljerede ledninger

Femtosekundlaserfilmstripping og -fjerning

Femtosekundlaserfilmstripping er en presisjons-, kontaktløs prosess som eliminerer risikoen forbundet med tradisjonell mekanisk stripping, som for eksempel skade på substratet. Ved å bruke et tett fokusert laserpunkt fjerner den selektivt ulike belegg – inkludert polymerisolasjon og oksidlag – samtidig som det underliggende materialet forblir uberørt. Denne teknologien er viktig for elektronikk, halvledere, medisinsk utstyr og presisjonsproduksjon.

Tekniske fordeler

Kontaktfri og ikke-skadelig: Eliminerer mekanisk slitasje og kjemisk forurensning, og sikrer integriteten til skjøre underlag.

Presisjon på mikronnivå: Oppnår skadefri fjerning med etsningspresisjon på ≤±1 μm og dybdekontroll ned til ≤0,1 μm.

Allsidig kompatibilitet: Tilpasser seg komplekse geometrier (flate, rørformede og buede overflater) og bearbeider et bredt spekter av materialer, inkludert metaller, polymerer, keramikk og glass.

Effektiv og skalerbar: Svært stabil og repeterbar, noe som gjør den ideell for både FoU-prototyping og masseproduksjon i store mengder.

Fjerning av plan film (flate overflater)

Presis fjerning av belegg fra flate underlag, ideelt for elektroniske komponenter og optiske enheter med høy presisjon.

Kontakt oss

minimum linjeavstand på 3 μm

Fjern et 1 μm tykt gullbelegg på kvartsglass

Fjern gullbelegg på kvartsglass

010203

Laserstrippede magnetiske PI-emaljerede ledninger

Medisinske CGM-sensorer Fjern polyimidbelegg på platina-iridium (PtIr)

0102

Stripping av rørbelegg

Spesialisert dybdekontrollert avisolering for rørformede enheter, spesielt i medisinske og elektroniske applikasjoner. Prosessen fjerner belegg nøyaktig i henhold til definerte spesifikasjoner med praktisk talt ingen termisk påvirkning på det underliggende substratet.

Kontakt oss

Buede og komplekse 3D-overflater

Overvinner utfordringene med feltsøm ved tradisjonelle prosesser, og muliggjør sømløs bearbeiding av buede overflater. Med en sømpresisjon på ≤±1 μm minimerer den sømpåvirkningen for å sikre funksjonell integritet og elektrisk ytelse til mikrostrukturer.